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一般IC上面都會(huì)有規(guī)格說(shuō)明，就是IC Datasheet，Datasheet上面一般會(huì)說(shuō)明該IC是否是OTP的元件。OTP本身也是One Time Programmable的縮寫(xiě)，One Time就是一次性的意思，Programmable是燒錄的意思。如果不是新料，首先要清除原IC內(nèi)的舊程序，清除完之后，還需要查空，檢查程序是否已經(jīng)被清除干凈，里面是不是空的，是空的接下來(lái)才會(huì)再燒錄。燒錄就是把資料、程序編程到IC里邊。燒錄完之后，我們還要檢查燒錄的IC是否正確，接下來(lái)再做加密或?qū)懕Ｗo(hù)。

2022-01-19 14:28:39

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現(xiàn)代發(fā)展中X射線(xiàn)成像技術(shù)已經(jīng)形成了一套比較完整的X光無(wú)損檢測(cè)技術(shù)體系，“無(wú)損”顧名思義，檢測(cè)過(guò)程不會(huì)損壞試件，其最大特點(diǎn)就是能在不損壞試件材質(zhì)、結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)行檢測(cè)，因此采用無(wú)損檢測(cè)可實(shí)施產(chǎn)品百分百全檢，確保生產(chǎn)質(zhì)量。利用Xray在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，既能實(shí)現(xiàn)BGA等不可見(jiàn)焊點(diǎn)的檢測(cè)，又能對(duì)檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行定性、定量分析，從而早期發(fā)現(xiàn)故障。

2022-01-13 16:03:39

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元器件開(kāi)封也稱(chēng)為元器件開(kāi)蓋，開(kāi)帽，是常用的一種失效分析時(shí)破壞性檢測(cè)方法。通俗來(lái)講也就是給芯片做外科手術(shù)，通過(guò)開(kāi)封我們可以直觀(guān)的觀(guān)察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開(kāi)封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。

2022-01-04 15:24:00

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由于每個(gè)功能元件都有其自身的測(cè)試要求，設(shè)計(jì)工程師必須在設(shè)計(jì)初期就做出測(cè)試規(guī)劃。芯片是現(xiàn)代頂尖高科技技術(shù)的產(chǎn)物，芯片存在于各種各樣的電子產(chǎn)品之中，芯片的高度集成化也使芯片有了 更多更強(qiáng)大的功能。芯片需要做哪些測(cè)試呢？主要分三大類(lèi)：芯片功能測(cè)試、性能測(cè)試、可靠性測(cè)試，芯片產(chǎn)品要上市三大測(cè)試缺一不可。

2022-01-04 14:38:00

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電子電氣設(shè)備的電性能的好壞直接影響到整個(gè)電氣系統(tǒng)的安全，可靠運(yùn)行，為了保證設(shè)備安全，所有的電子電氣設(shè)備在生產(chǎn)制造過(guò)程中，必須通過(guò)各種型式試驗(yàn)，保證電氣環(huán)境的安全。電性能測(cè)試包括導(dǎo)線(xiàn)電阻、絕緣電阻、介質(zhì)損耗角正確值、電容等導(dǎo)體或絕緣品質(zhì)的基本參數(shù)測(cè)試。電纜的工作電壓愈高，對(duì)其電性能要求也愈嚴(yán)格。

2021-12-27 14:03:37

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芯片可靠性測(cè)試主要分為環(huán)境試驗(yàn)和壽命試驗(yàn)兩個(gè)大項(xiàng)，其中環(huán)境試驗(yàn)中包含了機(jī)械試驗(yàn)（振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、離心加速試驗(yàn)、引出線(xiàn)抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)和引出線(xiàn)彎曲試驗(yàn)）、引出線(xiàn)易焊性試驗(yàn)、溫度試驗(yàn)（低溫、高溫和溫度交變?cè)囼?yàn)）、濕熱試驗(yàn)（恒定濕度和交變濕熱）、特殊試驗(yàn)（鹽霧試驗(yàn)、霉菌試驗(yàn)、低氣壓試驗(yàn)、靜電耐受力試驗(yàn)、超高真空試驗(yàn)和核輻射試驗(yàn)）；而壽命試驗(yàn)包含了長(zhǎng)期壽命試驗(yàn)（長(zhǎng)期儲(chǔ)存壽命和長(zhǎng)期工作壽命）和加速壽命試驗(yàn)（恒定應(yīng)力加速壽命、步進(jìn)應(yīng)力加速壽命和序進(jìn)應(yīng)力加速壽命），其中可以有選擇的做其中一些。

2021-12-24 11:52:00

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芯片一般是不會(huì)壞的，如果壞的話(huà)最常見(jiàn)的也是擊穿損壞，你可以用萬(wàn)用表測(cè)量一下芯片的供電端對(duì)地的電阻或電壓，一般如果在幾十歐姆之內(nèi)或供電電壓比正常值低，大部分可以視為擊穿損壞了，可以斷開(kāi)供電端，單獨(dú)測(cè)量一下供電是否正常。如果測(cè)得的電阻較大，那很可能是其他端口損壞，也可以逐一測(cè)量一下其他端口?？词欠裼袑?duì)地短路的端口。

2021-12-24 11:50:58

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隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，其芯片的特征尺寸變得越來(lái)越小，器件的結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，與之相應(yīng)的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細(xì)加工也變得越來(lái)越困難，傳統(tǒng)的分析手段已經(jīng)難以滿(mǎn)足集成電路器件向深亞微米級(jí)、納米級(jí)技術(shù)發(fā)展的需要。

2021-12-22 14:07:19

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芯片其實(shí)是集成電路的聚集地。一個(gè)芯片擁有成千上萬(wàn)的集成晶格組成。但具體的芯片集成度的高低與密集是由芯片的功能與作用而決定的。 IC芯片損壞這種現(xiàn)象也是存在的，但前提條件是給芯片供電電源太高，或電流過(guò)大，都會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部電路由于超過(guò)其極限工作電流電壓而導(dǎo)致芯片損壞。

2021-12-20 17:23:52

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